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MRFE6VP6300H:飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置

發(fā)布時間:2010-11-16 來源:佳工機電網(wǎng)

MRFE6VP6300H的產(chǎn)品特性:
  • 工作頻率1.8至600MHz
  • 包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護技術
MRFE6VP6300H的應用范圍:
  • 可用于推拉式或單端配置

飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管,工作頻率為1.8至600MHz,最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像(MRI)掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管,在電壓駐波比(VSWR)為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。

MRFE6VP6300H產(chǎn)品是這個性能級別里唯一商用的50V LDMOS晶體管產(chǎn)品。有了這款新晶體管,CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。

MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置,并放置在緊湊型NI780-4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時,該設備生成300W的CW輸出功率,增益為25分貝,效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護技術,這不僅使它成為第三類功率器件,還支持大的柵源電壓范圍(-6V至+10 V),因而在高效模式(如C類)下運行時能提高性能。
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