產(chǎn)品特性：
- 大功率、高效率
- 低失真特性
應用范圍：
- C波段衛(wèi)星通信地面站
三菱電機株式會社宣布研發(fā)出兩款用于C波段※1衛(wèi)星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，擁有100W和50W的業(yè)屆最高輸出※5功率，樣品從2012年1月10日開始提供。
※1 頻率4 GHz～8GHz的微波
※2 衛(wèi)星通信時設(shè)置在地面的基站
※3 Gallium Nitride：氮化鎵
※4 High Electron Mobility Transistor：高電子遷移率晶體管
※5 截至2011年11月29日，根據(jù)本公司調(diào)查。在衛(wèi)星通信地面站用的GaN HEMT中
新產(chǎn)品的特點
1．大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
?采用耐壓性能卓越的GaN，可在40V的高電壓下工作
?大功率，輸出功率分別達到100W（MGFC50G5867）和50W（MGFC47G5867）
?高效率，功率附加效率※6達到43%以上
※6 供電功率轉(zhuǎn)換為輸出功率時的效率。數(shù)值越高，效率越佳。
2．低失真特性有助于提高信號質(zhì)量
?輸出功率為40W（46dBm）時IM3※7=－25dBc，實現(xiàn)低失真特性（MGFC50G5867）
※ 7 Inter Modulation：當2個信號同時輸入到放大器時產(chǎn)生的失真現(xiàn)象。數(shù)值越低，性能越佳。
主要規(guī)格
