產(chǎn)品特性：
- 器件采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK封裝
- 具有低至0.555Ω的導(dǎo)通電阻和48nC的柵極電荷
- 更低的功率損耗
應(yīng)用范圍：
- 筆記本電腦的交流適配器、PC機(jī)和液晶電視，以及開放式電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和LLC拓?fù)渲泄?jié)約能源，這些應(yīng)用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機(jī)和液晶電視，以及開放式電源。
除了具有低導(dǎo)通電阻，這三款器件的柵極電荷為48nC。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積低至26.64Ω-nC，該數(shù)值是描述用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。
新款N溝道MOSFET采用Vishay Planar Cell技術(shù)生產(chǎn)，這項(xiàng)技術(shù)為減小通態(tài)電阻進(jìn)行了定制處理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了開關(guān)速度和損耗。
這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并經(jīng)過了完備的雪崩測(cè)試，以實(shí)現(xiàn)可靠的工作。
