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- 采用了IR最新一代MOSFET硅技術
- IRF6798MPbF的中罐DirectFET封裝提供低于1毫歐的導通電阻
- IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低導通電阻
- 服務器、臺式電腦和筆記本電腦
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業(yè)界領先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優(yōu)化的解決方案。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關鍵參數(shù)不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業(yè)界最低的柵極電阻 (Rg) 相結合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。”
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 m? 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現(xiàn)反向恢復損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 m? 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
產(chǎn)品基本規(guī)格
