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半導(dǎo)體過壓防護(hù)器件應(yīng)對(duì)浪涌挑戰(zhàn)

發(fā)布時(shí)間:2009-11-07 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝浪涌電壓的來源有四類,雷擊、工業(yè)過電壓、靜電、核磁輻射。在極短的時(shí)間內(nèi)(微妙級(jí)),浪涌電壓可以達(dá)到很高的幅值。浪涌電壓釋放到設(shè)備上,會(huì)干擾設(shè)備運(yùn)行,甚至燒毀電路。為了降低浪涌電壓的危害,需要在電路里添加過電壓保護(hù)器件。就過壓保護(hù)器件的選型問題,電子元件技術(shù)網(wǎng)采訪了上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝。劉建朝將于11月12日,在上海新國(guó)際博覽中心會(huì)議廳W2-M9舉行的《電路保護(hù)和電磁兼容技術(shù)研討會(huì)》上,就半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件的選擇和應(yīng)用做更進(jìn)一步探討。

半導(dǎo)體過壓保護(hù),主要是用來防雷。目前市場(chǎng)上主要的防雷器件有這么幾種,氣體防雷管、壓敏電阻、瞬態(tài)二極管,過壓保護(hù)器件。氣體放電管是電容很小,但是里面是充惰性氣體,所以可靠性不強(qiáng),會(huì)退化;壓敏電阻能夠吸引能量,并且有EMC功能;TVS可以做到很小,但是它的缺點(diǎn)就是寄生電容很大,耐電流很??;半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件采用先進(jìn)的離子注入技術(shù),開啟電壓的一致性好,明顯優(yōu)于氣體放電管和壓敏電阻;采用了SCR結(jié)構(gòu),浪涌電流的吸收能力強(qiáng),明顯優(yōu)于瞬態(tài)抑制二極管(TVS),另外它的可靠性很高,響應(yīng)速度很快。

上海光宇睿芯微電子有限公司(SINO-IC)從事半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件和集成電路的設(shè)計(jì)、研發(fā)與銷售。SINO-IC產(chǎn)品品種多,覆蓋范圍廣,已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護(hù)、便攜產(chǎn)品接口保護(hù)、鋰電池的過充過放保護(hù)、電源系統(tǒng)的過壓保護(hù)、以及LED驅(qū)動(dòng)與保護(hù)等。

演講時(shí)間:2009年11月12號(hào) 11:05-11:40 
地       點(diǎn):上海新國(guó)際博覽中心會(huì)議廳W2-M9
演講題目:快速響應(yīng)半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件的選型
演講嘉賓:上海光宇睿芯微電子有限公司CEO劉建朝

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