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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無(wú)延遲數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè)，2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷(xiāo)售額有望增長(zhǎng)61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代，如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。
2024-11-08
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什么是鐵電存儲(chǔ)器？
隨著我們進(jìn)入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時(shí)代，高密度和高性能存儲(chǔ)器的重要性比以往任何時(shí)候都更大。目前應(yīng)用最廣泛的NAND閃存由于依賴(lài)電荷陷阱效應(yīng)存儲(chǔ)信息，存在功耗高、運(yùn)行速度慢、易重復(fù)使用等問(wèn)題。為此，POSTECH的一個(gè)研究小組最近展示了一種鐵電存儲(chǔ)器，它在運(yùn)行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過(guò)了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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如何利用鐵電存儲(chǔ)器提高汽車(chē)應(yīng)用的可靠性？
非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 在幾乎所有嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都起著關(guān)鍵作用，但許多設(shè)計(jì)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)寫(xiě)入和訪問(wèn)速度、數(shù)據(jù)保留、低功耗等方面的要求越來(lái)越嚴(yán)格。
2019-10-21
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鐵電存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器，我們?cè)谌粘Ｉ睢⒐ぷ髦卸冀?jīng)常用到，但不知道大家對(duì)“鐵電存儲(chǔ)器”是否知道呢？本文收集整理了一些資料，希望本文能對(duì)各位讀者有比較大的參考價(jià)值。
2013-05-29
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F-RAM會(huì)帶來(lái)RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類(lèi)非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
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