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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
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為大功率和混合動(dòng)力汽車(chē)優(yōu)化的Vishay負(fù)載突降保護(hù)器件
現(xiàn)在汽車(chē)上的電子設(shè)備越來(lái)越多，所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護(hù)器件不可能平均分擔(dān)瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對(duì)連接的那些最低阻抗的保護(hù)器件的影響尤為嚴(yán)重。因此，在汽車(chē)電子設(shè)計(jì)中，一個(gè)保護(hù)器件要能夠安全地承受負(fù)載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負(fù)載突降的概念和該如何去應(yīng)對(duì)該種情況以及Vishay應(yīng)對(duì)該問(wèn)題的策略和相關(guān)電路保護(hù)器件。
2009-01-25
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TSOP75xxx ：Vishay最佳敏感度/尺寸比SMD紅外接收器系列
日前，Vishay宣布推出用于遙控系統(tǒng)的新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列 --- TSOP75xxx，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時(shí) 0.35 mA 的超低電流、側(cè)視型的厚度僅為 3.0 mm及業(yè)界最佳敏感度/尺寸比。
2009-01-23
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Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH） 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
2009-01-21
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TSOP5038：Vishay傳感器和光障系統(tǒng)應(yīng)用紅外接收器
日前，Vishay推出為傳感器和光障系統(tǒng)應(yīng)用優(yōu)化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓寬了其光電產(chǎn)品系列。
2009-01-19
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VSLB3940：Vishay新型高性能3mm紅外發(fā)射器
日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領(lǐng)先的 5mm 發(fā)射器相當(dāng)。
2009-01-16
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
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VSMB系列:威世發(fā)光波長(zhǎng)940nm的紅外LED
日前，Vishay推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發(fā)射器系列，從而拓展了其光電子產(chǎn)品系列，這些新推出的器件具有遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器技術(shù)的輻射強(qiáng)度。
2009-01-14
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SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類(lèi)器件。
2009-01-09
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IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大電流電感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離，為了實(shí)現(xiàn)更小的占板面積、更好的散熱性能、更高的效率，表面貼裝封裝工藝在不斷進(jìn)步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封裝上下表面進(jìn)行冷卻的封裝能力。尺寸類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝，卻有兩個(gè)熱路徑，如果采用來(lái)自風(fēng)扇的氣流或附加的散熱器，PolarPAK功率MOSFET就可以處理高得多的電流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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