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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設(shè)計制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計中的應用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應存儲信息，存在功耗高、運行速度慢、易重復使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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為何eMMC芯片磨損導致MCU和車輛無法正常運作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
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貿(mào)澤與兆易創(chuàng)新簽署全球分銷協(xié)議，備貨多款高性能存儲器產(chǎn)品
2020年2月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名的非易失性存儲器解決方案供應商兆易創(chuàng)新 (GigaDevice) 簽署全球分銷協(xié)議并達成合作伙伴關(guān)系。簽署此項協(xié)議后，貿(mào)澤電子現(xiàn)已成為兆易創(chuàng)新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產(chǎn)品的授權(quán)分銷商，這些器件適用于汽車、消費電子、物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、工業(yè)、移動設(shè)備、計算、網(wǎng)絡(luò)和通信等嵌入式應用。
2020-02-28
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設(shè)計與營銷領(lǐng)導品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動設(shè)備提供無與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲解決方案，將主流市場上的移動存儲提高到新檔次。
2018-09-20
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慧榮科技榮獲中國財經(jīng)峰會“2017年度最具影響力企業(yè)大獎”
2017年11月30日，中國北京——在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經(jīng)峰會·冬季論壇組委會頒發(fā)的“2017年度最具影響力企業(yè)大獎”，以表彰其多年來在閃存控制芯片領(lǐng)域所做出的杰出貢獻。頒獎典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業(yè)資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現(xiàn)
目前，存儲領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現(xiàn)，從總體上較CPU固件實現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內(nèi)存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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用圖來說話，解答Android設(shè)備處理器最大懸念：內(nèi)核越多性能越強？
日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關(guān)于移動芯片核心性能的大規(guī)模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來學習閃存的知識。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點這些內(nèi)容。接下來就為大家講解相關(guān)的知識。
2013-06-29
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
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