【導(dǎo)讀】英飛凌近日宣布推出DrBlade，全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級，適用于計算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。
集成DC/DC驅(qū)動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件
DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達(dá)到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。
全新Blade封裝技術(shù)
英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術(shù)，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標(biāo)準(zhǔn)的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術(shù)。此外，芯片也以疊層薄片進(jìn)行保護(hù)。其結(jié)果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時還降低熱阻。
英飛凌低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術(shù)的集成了驅(qū)動器及MOSFET半橋的半導(dǎo)體公司。DrBlade的推出可提升服務(wù)器應(yīng)用在全負(fù)載范圍的效率，再度證明我們在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
節(jié)省空間，提高效率
DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術(shù)，再結(jié)合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。
上市時間與定價
DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。
