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導(dǎo)言：由電裝與豐田汽車(chē)及豐田中央研究所的共同研發(fā)，采用SiC功率元件制成的逆變器，其輸出功率密度高達(dá)60kW/L。該試制品通過(guò)將功率半導(dǎo)體材料由原來(lái)的Si改為SiC，同時(shí)功率元件內(nèi)部通過(guò)采用自主開(kāi)發(fā)的構(gòu)造實(shí)現(xiàn)了低電阻化，從而降低了電力損耗。

輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器，該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時(shí)，輸出功率密度為60kW/L，此時(shí)功率元件的溫度為180℃左右。 而且，還通過(guò)改進(jìn)逆變器模塊內(nèi)的布線(xiàn)，降低了模塊整體的電阻，從而使發(fā)熱量比原產(chǎn)品減少了68％。

這款逆變器還還降低了電能損失，與利用Si制IGBT的逆變器相比，電力損失可降低68％（30Arms時(shí)）。

該逆變器由配備SiC制功率元件的模塊，以及用于驅(qū)動(dòng)該功率元件的控制電路、冷卻風(fēng)扇以及電容器等構(gòu)成。

逆變器模塊中，晶體管采用溝道型SiC制MOSFET，二極管采用溝道型SiC制MOSFE內(nèi)的體二極管。這樣做是為了使模塊小型化。SiC制MOSFET的耐壓為1200V，導(dǎo)通電阻為30mΩ。芯片尺寸約為5mm見(jiàn)方。

逆變器模塊內(nèi)封裝有供三個(gè)相位用的高側(cè)和低側(cè)用SiC制MOSFET。每一個(gè)相位的高側(cè)和低側(cè)各并聯(lián)使用3枚SiC制MOSFET芯片，整個(gè)逆變器模塊共有18枚芯片。

MOSFET約為5mm見(jiàn)方，每枚芯片“可流過(guò)100A的電流，但此次采用了3枚芯片共流過(guò)70A左右電流的設(shè)計(jì)”。也就是說(shuō)，每枚芯片流過(guò)23A左右的電流。

另外，逆變器模塊的寄生電感也得以降低。