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產(chǎn)品特性：

• 增強型封裝技術(shù)
• 將承受的功耗提升 80%
• 高效的雙面散熱技術(shù)
• 可簡化設計、降低成本

應用范圍：

• 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網(wǎng)絡設備等

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET功率MOSFET有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網(wǎng)絡設備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”
DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：

作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求；

增強型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；
　　
高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器；
　　
業(yè)界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5x6封裝相比，可節(jié)省 30mm2的空間。