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產(chǎn)品特性：

• 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V
• 能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護(hù)電路
• 其低輸入電容使其易于以很少或沒(méi)有緩沖直接從SLIC控制IC進(jìn)行驅(qū)動(dòng)
• 采用TO252-3L封裝

適用范圍：

• 寬帶語(yǔ)音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)

Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對(duì)變壓器中初級(jí)開(kāi)關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。

兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護(hù)電路。配合正確選擇的變壓器，這些MOSFET就能驅(qū)動(dòng)150V以上的線路電壓，并以6公里以上的環(huán)路長(zhǎng)度提供多種用戶線路。

這些MOSFET的低輸入電容使其易于以很少或沒(méi)有緩沖直接從SLIC控制IC進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實(shí)現(xiàn)低柵極驅(qū)動(dòng)。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。