【導讀】電子產(chǎn)品的應用隨著可見，那么電子產(chǎn)品的靜電防護成為了電子產(chǎn)品設計中必不可少的工作。在有外部接口的電子產(chǎn)品中，幾乎都會有ESD防護器件。
電子產(chǎn)品的應用隨著可見，那么電子產(chǎn)品的靜電防護成為了電子產(chǎn)品設計中必不可少的工作。在有外部接口的電子產(chǎn)品中，幾乎都會有ESD防護器件。
高速電路設計的系統(tǒng)工程師或者硬件工程師必須仔細選擇在設計中所需要的所有元器件，選擇合適的ESD保護元件就具有比以前更大的挑戰(zhàn)性，因為ESD器件在一些高速電路接口上已經(jīng)變得不再是一個簡單的ESD器件，還包含了雜散的寄生參數(shù)，以及安裝到PCB板上時的寄生電感等參數(shù)。如下圖左是一個典型的ESD保護器件，右圖是安裝在PCB板上的一個簡化的等效電路圖：
顯然電路變得更加的復雜啦。這里還沒有計算ESD器件的IO電容。下圖是某TVS管的datasheet中標識的IO寄生電容：
下面以大家都非常熟知的USB3.0為例子，在ADS中搭建一個仿真的原理圖（使用ADS的example即可）：
仿真獲得的眼圖如下圖【】所示：
在原始的原理圖中添加一個防ESD的TVS管的S參數(shù)之后，原理圖如下圖所示：
其它條件都保持與前面一樣，仿真獲得的眼圖如下圖【】所示：
從眼圖上看，兩者有明顯的差別，再觀察其測量項，顯然，帶ESD器件TVS管的模型時，其結果更差。在此文中雖然結果還是符合USB3.0的規(guī)范要求，但是已經(jīng)變得很差，如果在沒有考慮TSV管的影響下結果就很差，那么在加上TVS管之后，很有可能就會導致結果不滿足設計的要求。
下圖是一個TVS管器件的S參數(shù)：
顯然，當信號速率比較低時，其損耗比較小，但是隨著速率的提升，顯然損耗會變大很多。雖然目前很多公司都無法提供ESD器件的S參數(shù)，但是對于高速電路而言，這確實是需要考慮的影響因子之一。所以在選擇器件時，不僅僅要看器件的防護等級，還需要注意其寄生效應。
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