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變換器選擇必知:精講單向型DC/DC變換器拓撲結構

發(fā)布時間:2015-06-24 責任編輯:sherry

【導讀】工程師在進行單向型的DC-DC變換器選擇時,最好能夠全面的了解不同類型的變換器使用哪種拓撲結構,從而能夠更好的完成方案設計,提升整體的利用率。電子元件技術的小編這里為大家分析下單向型DC-DC變換器拓撲結構,求同存異!
 
單向型的DC-DC變換器是目前應用范圍最廣的類型,通常情況下,工程師會按照輸入與輸出間是否有電氣隔離將其劃分為兩種類型。其中,沒有電氣隔離的稱為不隔離的直流交換器,有電氣隔離的稱為有隔離的直流變換器。本文將會以不隔離的基本升壓DC-DC變換器(圖1)和隔離的半橋直流變換器(圖2)加以比較,來說明兩類DC-DC轉換器在拓撲結構方面的不同之處。
不隔離的基本升壓直流變換器
圖1 不隔離的基本升壓直流變換器
 隔離的半橋直流變換器
圖2 隔離的半橋直流變換器
 
從上圖所展示的兩個拓撲結構中,我們可以很容易的看出兩者之間的不同之處。圖2所展示的隔離半橋直流變換器結構復雜,所用的元器件數量和種類都比較多,而圈1所展示的基本升壓直流變換器的結構就要簡單很多,所用的元器件數量和種類都比較少。由于受到變換器體積的限制,隔離的半橋直流變換器在工作中必須采用高頻變壓器,因此相應的開關管只能采用功率MOS管。圖1則可以采用IGBT管,IGBT管兼?zhèn)淞薓OS管和BJT管兩者的優(yōu)點,具有驅動簡單、速度高、通態(tài)壓降低、耐壓高和可以承受大電流等優(yōu)點,因此在大功率的工業(yè)應用場合得到了廣泛的應用。
 
除此之外,在MOS管導通方面兩者也有差距。隔離的半橋直流變換器MOS管導通壓降要高于圖1中基本升壓直流變換器的IGBT管,且后者的MOS管的導通損耗要低于前者導通損耗,而且圖2中還有2個整流二極管的導通損耗。因此,為了實現(xiàn)雙向能量變換功能,圖1可以很容易地通過與其他的開關元器件相配合采用一套DC-DC變換器來實現(xiàn),而圖2則難以采用一套變換器實現(xiàn),采用兩套變換器會使得整個變換器裝置體積增大。
 
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