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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應用三個方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽能有限公司(下稱“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽能多晶硅片供應合同。后者是印度最大的太陽能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽能
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過 1000 小時工作負荷后負載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時負載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級
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S系列：Vishay改進的軍用級高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級
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