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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力
終端用戶希望新的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車(chē)輛的空閑時(shí)間,尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率,以實(shí)現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前,單個(gè)單元充電器的設(shè)計(jì)范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個(gè)單元元件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可以增加功率輸出,幫助充電器制造商實(shí)現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴(kuò)展性的目標(biāo)。對(duì)有源功率元件使用先進(jìn)的隔離封裝,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計(jì)中的熱管理工作,從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一直關(guān)注的,也是在選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)需要著重關(guān)注的,一個(gè)高效的測(cè)試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時(shí)間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用,與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而,SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過(guò)利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用,與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而,SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中,我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
開(kāi)關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡(jiǎn)稱SMPS),又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開(kāi)關(guān)管,控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率,來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡,風(fēng)電、太陽(yáng)能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部,用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽(yáng)能(光伏)等發(fā)電方式波動(dòng)性較大,在新能源布局較多的西北部地區(qū),由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量,造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解???span id="ag4ysmu" class='red'>功率器件雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類(lèi)功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí),這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié),測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全,可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言,其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝,功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類(lèi)型,也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類(lèi)型。在IPM模塊中既集成有功率器件,還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC,這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別,因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件,會(huì)給使用者帶來(lái)更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國(guó)產(chǎn)廠商派恩杰,不僅在功率器件性能上達(dá)到國(guó)際一流廠商水平,在AC BTI可靠性上更是超越國(guó)際一流廠商??偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者,展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
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除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域?
硅材料制作的功率器件,也被稱為第一代半導(dǎo)體,而砷化鎵(GaAs)等材料制作的功率器件,則被成為第二代半導(dǎo)體,第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件,通常用于射頻應(yīng)用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS?
提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù),大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_(kāi)通ZVS(Zero voltage switching) 和零電流關(guān)斷ZCS(Zero current switching),同時(shí),尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中,絕大多數(shù)的采用軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS,而不是ZCS,所以,Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔,而不是IGBT。
2022-10-11
- 國(guó)產(chǎn)濾波技術(shù)突破:金升陽(yáng)FC-LxxM系列實(shí)現(xiàn)寬電壓全場(chǎng)景覆蓋
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