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知名半導體芯片制造企業(yè)——揚州晶新微電子參展CITE2023
揚州晶新微電子有限公司是一家專業(yè)從事半導體芯片設計與制造的企業(yè)，在功率器件和高頻小信號芯片生產(chǎn)制造方面深耕多年，具有悠久的歷史，前身可追溯到60年代成立的國營“揚州晶體管廠”，在半導體行業(yè)具有廣泛的影響力。
2023-03-21
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
“ 動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行?！?/p>
2023-03-03
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第三代半導體功率器件在汽車上的應用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。
2023-02-21
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RS瑞森半導體LLC恒流方案的應用市場
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓撲，帶有半橋驅(qū)動恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內(nèi)部集成的模塊包括：邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過壓保護電路、過溫保護電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過零檢測電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動設置死區(qū)時間，防止高端和低端輸出功率管的同時導通，使方案設計更簡單可靠，同時對功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開路保護、短路保護、過溫保護等保護功能。
2023-02-17
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有源鉗位技術(shù)解析
在風電、光伏、新能源汽車、工業(yè)變頻等大功率應用場合，主電路中母線電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關(guān)斷時，由于雜散電感Ls的存在，通過Ls*di/dt感應產(chǎn)生浪涌電壓，此感應高電壓與前端母線電容電壓方向一致，因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會超過母線電壓，在過流或短路發(fā)生時甚至可能會超過功率器件的耐受電壓而導致?lián)p壞。功率器件保護方式有RC吸收回路、軟開關(guān)以及飽和壓降檢測限流等，其中RC吸收回路具有以犧牲回路效率為代價，同時可能帶來吸收回路溫度過高的風險。有源鉗位可以直接加在驅(qū)動回路里面，通過延緩驅(qū)動關(guān)斷來吸收浪涌能量，能夠有效減小尖峰電壓起到保護作用，因此有源鉗位方案具有占用面積小、成本低、響應速度快、可靠性高等優(yōu)點。
2023-01-13
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碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析
提到動態(tài)特性，大家的第一反應一定是開關(guān)特性，這確實是功率器件的傳統(tǒng)核心動態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數(shù)影響的，故器件研發(fā)人員可以根據(jù)開關(guān)波形評估器件的特性，并有針對性地進行優(yōu)化。另外，電源工程師還可以基于測試結(jié)果對驅(qū)動電路和功率電路設計進行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非?？春?00V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機構(gòu)，預測截至到2026年，SiC在整個功率器件市場的占比將達到12%以上。
2023-01-10
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電動車快速直流充電：常見的系統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)和功率器件
直流快速充電（以下簡稱“DCFC”）在消除電動車采用障礙方面的作用是顯而易見的。對更短充電時間的需求推動近400千瓦的高功率電動車快充進入市場。本博客將講述典型的電源轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)和用于DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2023-01-06
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設計，選取三種功率器件方案：
2022-12-13
- 國產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽FC-LxxM系列實現(xiàn)寬電壓全場景覆蓋
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- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
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