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安捷倫率先推出適用于功率電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀
安捷倫率先推出首款適用于功率電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度范圍內(nèi)對(duì)功率器件參數(shù)——Ron、漏電流、Ciss、Coss、Crss 和柵極電荷，進(jìn)行全面自動(dòng)表征，覆蓋高達(dá) 1500 A 和 3 kV 的電流和電壓范圍。
2014-05-13
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對(duì)于IGBT系統(tǒng)的電路保護(hù)新型與傳統(tǒng)型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。為使我們?cè)O(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對(duì)IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。那么新型保護(hù)電路與傳統(tǒng)的保護(hù)電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
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可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理
可調(diào)直流穩(wěn)壓電源是采用當(dāng)前國(guó)際先進(jìn)的高頻調(diào)制技術(shù)，其工作原理是將開(kāi)關(guān)電源的電壓和電流展寬，實(shí)現(xiàn)了電壓和電流的大范圍調(diào)節(jié)，同時(shí)擴(kuò)大了目前直流電源供應(yīng)器的應(yīng)用。直流穩(wěn)壓電源[1]的控制芯片是采用目前比較成熟的進(jìn)口元件，功率部件采用現(xiàn)國(guó)際上最新研制的大功率器件，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)方案省去了傳統(tǒng)直流電源因工頻變壓器而體積笨重。與傳統(tǒng)電源相比高頻直流電源就較具有體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也為大功率直流電源減小體積創(chuàng)造了條件，此電源又稱高頻可調(diào)式開(kāi)關(guān)電源?？烧{(diào)直流穩(wěn)壓電源保護(hù)功能齊全，過(guò)壓、過(guò)流點(diǎn)可連續(xù)設(shè)置并可預(yù)視，輸出電壓可通過(guò)觸控開(kāi)關(guān)控制。今天我就對(duì)其說(shuō)一下可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理，希望大家都能好好的瀏覽以下的內(nèi)容。
2013-12-19
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線性LED驅(qū)動(dòng)IC對(duì)比：盤點(diǎn)幾款大功率LED線性驅(qū)動(dòng)
如果你認(rèn)為線性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯(cuò)了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉(zhuǎn)換型DC-DC類型IC進(jìn)行對(duì)比分析，講解線性功率器件IC設(shè)計(jì)的一些注意要點(diǎn)，并盤點(diǎn)了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問(wèn)
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過(guò)載、短路造成的損害。本文通過(guò)Avago參與的八大問(wèn)答討論隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ㄐ滦虶aN功率器件，用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場(chǎng)未來(lái)10年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)18倍，主要需求市場(chǎng)是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場(chǎng)上出現(xiàn)。他們誰(shuí)會(huì)成為未來(lái)新興功率器件市場(chǎng)的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計(jì)
通過(guò)結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開(kāi)關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無(wú)需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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通過(guò)建立優(yōu)化模型和目標(biāo)函數(shù)實(shí)現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個(gè)重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進(jìn)，均流問(wèn)題也不再突出，所以從效率、損耗方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)是必要的。
2013-01-07
- 國(guó)產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽(yáng)FC-LxxM系列實(shí)現(xiàn)寬電壓全場(chǎng)景覆蓋
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