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三星Q3營業(yè)利潤飆升32%,HBM業(yè)務創(chuàng)紀錄、2nm GAA工藝正式量產

發(fā)布時間:2025-10-30 來源:轉載 責任編輯:lily

在全球內存市場迎來“超級周期”的浪潮中,三星電子與SK海力士雙雙交出了亮眼的第三季度成績單。繼SK海力士公布創(chuàng)紀錄的利潤后,三星也宣布其第三季度營業(yè)利潤同比增長32%,創(chuàng)下三年多來的最強表現。這一增長主要得益于芯片業(yè)務的強勁反彈及產品價格的上漲。


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業(yè)績全面超越預期

根據CNBC的報道,三星第三季度營業(yè)利潤達到12.2萬億韓元,遠超市場預期的11.25萬億韓元,較上一季度增長超過一倍。公司總收入為86.1萬億韓元,略高于倫敦證券交易所集團(LSEG)SmartEstimate預測的85.93萬億韓元。與去年同期相比,收入增長8.9%,營業(yè)利潤飆升32.9%。

ZDNet分析指出,業(yè)績激增的原因在于內存產品價格的回升,以及上一季度因庫存成本拖累業(yè)績的一次性因素消失。

內存業(yè)務創(chuàng)歷史紀錄

在三星各業(yè)務部門中,半導體表現尤為突出。據路透社報道,三星半導體部門第三季度營業(yè)利潤達到7萬億韓元(約合49.2億美元),同比增長80%。設備解決方案(DS)部門銷售額環(huán)比增長19%,內存業(yè)務創(chuàng)下季度歷史新高。

這一成就主要得益于HBM3e和服務器固態(tài)硬盤(SSD)需求的強勁增長。三星表示,其HBM3e產品已進入面向所有主要客戶的全面量產階段,而HBM4樣品也已開始向有需求的客戶交付。

代工業(yè)務加速推進

三星的代工業(yè)務同樣展現出強勁的復蘇勢頭。公司報告稱,第三季度客戶訂單創(chuàng)下歷史新高,主要受先進制程節(jié)點需求的推動。三星的第一代2納米全環(huán)繞柵極(GAA)工藝已進入量產階段,標志著其在先進制程競爭中邁出了關鍵一步。

此外,據韓國媒體The Bell報道,三星正在為其位于美國德克薩斯州的泰勒工廠量產特斯拉的AI5和AI6芯片做準備。值得注意的是,AI5和AI6芯片均可能基于三星的2納米工藝打造,進一步鞏固了三星在先進制程領域的領先地位。

未來展望:高價值產品與先進工藝雙輪驅動

展望未來,三星計劃通過增加高價值產品的銷售和推動新工藝的全面商業(yè)化,進一步鞏固其在半導體市場的競爭優(yōu)勢。

在內存領域,三星將提高1c(第六代10納米)DRAM的產量,以滿足市場對HBM4日益增長的需求。在代工業(yè)務方面,位于美國泰勒的新晶圓廠將成為其2納米工藝量產的首發(fā)基地,為全球客戶提供更先進的芯片制造服務。

憑借內存業(yè)務的強勁表現和代工技術的持續(xù)突破,三星正全力抓住半導體行業(yè)的發(fā)展機遇,為未來的增長注入更多動力。


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