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開(kāi)關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源因體積小、功率因數(shù)較大等優(yōu)點(diǎn)，在通信、控制、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文分析開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的各種產(chǎn)生機(jī)理，并在其基礎(chǔ)之上，提出開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容設(shè)計(jì)方法。
2008-10-13
開(kāi)關(guān)電源 EMC 電磁干擾
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基于聲表面波的某無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
介紹了一種基于聲表面波器件的無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。對(duì)聲表面波技術(shù)及聲表面波傳感器作了簡(jiǎn)要的介紹，針對(duì)某無(wú)線遠(yuǎn)距識(shí)別系統(tǒng)作了詳細(xì)的分析，并給出了測(cè)試結(jié)果。
2008-10-13
聲表面波 擴(kuò)展器 壓縮器 線性調(diào)頻
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基于無(wú)線SAW壓力傳感器的FADS研究
FADS采用分布在飛行器前端周線(也可機(jī)翼兩側(cè))不同位置上的壓力傳感器陣列測(cè)得壓力，通過(guò)計(jì)算間接得到動(dòng)靜壓，從而獲得真空速、馬赫數(shù)、氣壓高度等大氣數(shù)據(jù)。NASA的Dryden飛行研究中心在19世紀(jì)60年代開(kāi)始了對(duì)嵌入式大氣數(shù)據(jù)系統(tǒng)的研究。無(wú)線聲表面波壓力傳感器具有體積小、能無(wú)線測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)，因而嵌...
2008-10-13
FADS 空氣動(dòng)力學(xué) SAW 壓力靈敏系數(shù)
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)
利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
MOS場(chǎng)效應(yīng)管 AB類功率放大 推挽 傳輸線變壓器 寬頻帶
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超高頻無(wú)源RFID標(biāo)簽的一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)
本文針對(duì)超高頻無(wú)源RFID 標(biāo)簽芯片的設(shè)計(jì)，給出了一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)考慮。文章介紹了四種電源恢復(fù)電路結(jié)構(gòu)，以及倍壓電路的解決方案，提出了串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種穩(wěn)壓電路。文章提出了新的泄流源的設(shè)計(jì)，介紹了啟動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)考慮。
2008-10-13
RFID 標(biāo)簽 恢復(fù) 穩(wěn)壓 調(diào)制 解調(diào)
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霍爾效應(yīng)速度傳感器實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行
三個(gè)可以采用霍爾效應(yīng)傳感器實(shí)施的最常見(jiàn)的速度傳感方案為：環(huán)形磁場(chǎng)檢測(cè)、葉輪檢測(cè)和輪齒檢測(cè)，這些方法的每一種都需要在所監(jiān)測(cè)的軸上添加特殊的檢測(cè)目標(biāo)，需要特殊類型的傳感器來(lái)檢測(cè)該目標(biāo)。本文將探討用于實(shí)施每個(gè)以上傳感方案中的目標(biāo)和傳感器的特性。
2008-10-13
霍爾效應(yīng)
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W波段雪崩管窄脈沖調(diào)制器的研究
脈沖調(diào)制器是脈沖體制發(fā)射機(jī)中重要的組成部分。設(shè)計(jì)了一種體積小、脈沖驅(qū)動(dòng)電流大的窄脈沖調(diào)制器，可用于驅(qū)動(dòng)W波段主被動(dòng)復(fù)合探測(cè)器中的雪崩二極管振蕩器，對(duì)脈沖體制的毫米波雷達(dá)等的發(fā)射機(jī)也有重要應(yīng)用意義。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該調(diào)制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二極管 脈沖調(diào)制器 電路設(shè)計(jì)
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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